半導體元器件的制備首先要有基本的材料——硅晶圓，通過在硅晶圓上制作電路與電子元件（如電晶體、電容體、邏輯閘等），為上述各制程中所需技術復雜且資金投入多的過程。由于芯片是高精度的產品，因此對制造環境有很高的要求，其所需制造環境為為一溫度、濕度與含塵均需控制的無塵室。此外，一枚芯片所需處理步驟可達數百道，而且使用的加工機臺先進且昂貴，動輒數千萬一臺，雖然詳細的處理程序是隨著產品種類與所使用的技術有關；不過其基本處理步驟通常是晶圓先經過適當的清洗之後，接著進行氧化及沈積，後進行微影、蝕刻及離子植入等反覆步驟，以完成晶圓上電路的加工與制作。

下面是主要的制程：

一、硅晶圓材料

晶圓是制作硅半導體IC所用之硅晶片，狀似圓形，故稱晶圓。材料是硅，芯片廠家用的硅晶片即為硅晶體，因為整片的硅晶片是單一完整的晶體，故又稱為單晶體。但在整體固態晶體內，眾多小晶體的方向不相，則為復晶體（或多晶體）。生成單晶體或多晶體與晶體生長時的溫度，速率與雜質都有關系。

二、光學顯影

光學顯影是在光阻上經過曝光和顯影的程序，把光罩上的圖形轉換到光阻 下面的薄膜層或硅晶上。光學顯影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩對準、 曝光和顯影等程序。小尺寸之顯像分辨率，更在 IC 制程的進步上，扮演著 關鍵的角色。由于光學上的需要，此段制程之照明采用偏黃色的可見光。因此俗稱此區為 黃光區。

三、蝕刻技術

蝕刻技術（EtchingTechnology）是將材料使用化學反應物理撞擊作用而移除的技術。可以分為：濕蝕刻（wetetching）：濕蝕刻所使用的是化學溶液，在經過化學反應之后達到蝕刻的目的；干蝕刻（dryetching）：干蝕刻則是利用一種電漿蝕刻（plasmaetching）。電漿蝕刻中蝕刻的作用，可能是電漿中離子撞擊晶片表面所產生的物理作用，或者是電漿中活性自由基（Radical）與晶片表面原子間的化學反應，甚至也可能是以上兩者的復合作用。現在主要應用等離子體刻蝕技術。

四、CVD化學氣相沉積

化學氣相沉積（CVD）是指化學氣體或蒸汽在基質表面反應合成涂層或納米材料的方法，是半導體工業中應用為廣泛的用來沉積多種材料的技術，包括大范圍的絕緣材料，大多數金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，它是很簡單的：兩種或兩種以上的氣態原材料導入到一個反應室內，然后他們相互之間發生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。

五、物相沉積（PVD）

這主要是一種物理制程而非化學制程。此技術一般使用氬等鈍氣，藉由在高真空中將氬離子加速以撞擊濺鍍靶材后，可將靶材原子一個個濺擊出來，并使被濺擊出來的材質（通常為鋁、鈦或其合金）如雪片般沉積在晶圓表面。

六、離子植入（IonImplant）

離子植入技術可將摻質以離子型態植入半導體組件的特定區域上，以獲得的電子特性。這些離子必須先被加速至具有足夠能量與速度，以穿透（植入）薄膜，到達預定的植入深度。離子植入制程可對植入區內的摻質濃度加以精密控制?；旧希藫劫|濃度（劑量）系由離子束電流（離子束內之總離子數）與掃瞄率（晶圓通過離子束之次數）來控制，而離子植入之深度則由離子束能量之大小來決定。